mos管工作原理
目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它们是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
mos管通俗易懂的工作原理是什么？
mos管通俗易懂的工作原理：
芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。
以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。当栅源电压差为0时，漏源之间不会形成电流前段（工作在截止区）。
N型MOS管四端器件
当栅源电压差小于阈值电压时（工作在亚阈值区），漏源之间有很小的电流，和栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压时，并且漏源电压较大时，漏源之间有较大电流，其与栅源电压成平方关系。
若漏源电压较小时，漏源之间有电流，可看成电阻。当然，以上漏端都是人为施加电压，在实际电路中，相同类型器件或者不同类型器件串联在一起时，各个器件根据基尔霍夫电流定律，形成平衡。
mos管是什么原理，起什么作用的
MOS管的原理：
它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
作用：
1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、可以用作可变电阻。
4、可以方便地用作恒流源。
5、可以用作电子开关。
简介：
mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
结构特点：
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
n沟道mos管
p沟道mos管
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理
MOS管
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
一、MOS管的作用是什么？
目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
二、MOS管的性能参数有哪些？
优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号，我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。
还要说明的是，温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高，MOS管需要承受的电流也随着增强，提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全，高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。
电感与MOS管是如何合作的？
通过上面的介绍，我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。
主板上的PWM(Plus Width Modulator，脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，这样可以使两只MOS管轮流导通。当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时，这时MOS管的开关作用开始生效，外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压。当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。随着电感上存储能量的不断消耗，负载两端的电压又开始逐渐降低，外部电源通过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不断地进行充电和放电的过程，从而形成一种稳定的电压，永远使负载两端的电压不会升高也不会降低。
这个比较适合大家看
mos晶体管结构及工作原理
1. MOS管工作原理--MOS管简介
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
3. MOS管工作原理
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
谁能告诉我：场效应管的工作原理，及与二极管的区别，最好有图示，越详细越好！
简单讲就是MOS管是受控半导体，二极管是不受控的单向导通半导体
MOS管原理可查任何半导体物理书，我简单说明原理：以N沟道MOS为例，当栅极G输入电压超过导通门限后，DS两级之间开始导通，导通电流受栅极电压控制，呈线性变化，当栅极电压进一步升高，超过线性区后，我们称为完全导通或者处于开关状态，MOS管电流不再随栅极电压呈线性变化，而是受其导通电阻限制。
二极管只有一个PN结，只能单向导通，起到整流（交流变直流)作用。
而MOS即可实现整流（同步整流技术）也可实现逆变(直流变交流）
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